在2nm先进制程的争夺上，看起来台积电要扳回一局了。
据供应链消息，台积电将如期在2025年上线2nm生产工艺，2025年下半年在新竹市宝山鄕进入量产。
消息还表示，台积电计划在2026年推出N2P工艺，这一工艺将采用背面供电网络（BSPDN）技术。
2nm芯片是台积电的一个重大节点，该工艺将会采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代鳍式场效应晶体管（FinFET），这意味着台积电工艺正式进入GAA晶体管时代。其中，2nm芯片相较于3nm芯片，在相同功耗下，速度快10-15%。在相同速度下，功耗降低25-30%。
值得关注的是，代工技术从高K金属栅极平面FET发展到FinFET再到MBCFET，目前正高端到BSPDN。此外，三星也将在2nm工艺采用BSPDN技术。
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